宏微科技SiC产品推动SST固态变压器升级

传统数据中心普遍采用的 400V 交流配电架构，依赖低频工频变压器实现电压变换，存在系统损耗高、设备体积庞大、功率密度低、扩展灵活性差等固有短板，已无法匹配 AI 数据中心集群爆发式增长的高压大电流、高效率、高功率密度供电需求。在此背景下，以 800V 高压直流配电为核心的新一代能源架构快速崛起，而固态变压器（SST） 作为实现中压交流到低压直流高效变换的核心设备，凭借无需工频变压器、能量转换效率高、系统体积小、可控性与可扩展性强等核心优势，正成为 AI 数据中心、新型电力系统能源变革的核心赛道。

作为 SST 系统的核心功率单元，碳化硅（SiC）功率器件凭借其宽禁带、高耐压、低损耗、高频特性优的天然优势，成为 SST 技术落地的关键支撑。而在 SST 的拓扑选型中，三电平拓扑方案凭借器件电压应力低、输出谐波小、EMI 特性优、系统效率更高等突出优势，在SST 场景中展现出极强的商用价值。

宏微科技推出1200V半桥SiC功率模块MMN7CB120BA6BS，该产品满足固态变压器三电平拓扑的核心应用需求。

在150°C结温严苛条件下，导通电阻 RDS(on) 低至13mΩ；

静态与动态特性表现优异，为高频运行奠定硬件基础；

开关损耗达到行业领先水平；

MMN7CB120BA6BS可以满足固态变压器对高频、高功率密度的应用需求。为 SST 系统提供了高可靠、高效率、高集成度的成熟解决方案，可以满足头部企业SST产品的应用需求。

产品型号：MMN7CB120BA6BS

宏微科技正加速布局更高性能、更高集成度的SiC产品系列。宏微科技正在研发三电平拓扑全集成 SiC 模块，将 ANPC 三电平桥臂的核心功率器件集成于单个封装内，最大限度降低线路寄生参数，提升器件均流均压性能，同时进一步简化系统 PCB 设计与装配流程，大幅压缩系统体积，推动 SST 系统向更高集成度、更高功率密度的方向持续升级。

宏微科技布局适用于SST的2300VSiC MOSFET器件。其中SiC MOSFET芯片产品比导通电阻达8mΩ·cm²，该器件支持两级拓扑架构，减少子系统数量，简化系统链路，在技术性能与系统成本之间实现更优的平衡——用更精简的架构，释放更强大的效能。

目前，宏微科技已与多家 SST 企业、数据中心能源设备厂商开展合作，基于现有成熟的 SiC 模块方案，联合优化 SST 系统设计，实现产品快速落地；同时，双方将基于下一代新品路线图保持深度协同，共同研发面向未来的 SST 平台，加速固态变压器技术的商业化普及。

未来，随着 AI 算力与电气化进程的持续推进，宏微科技将持续深耕宽禁带半导体技术，以成熟可批量交付的产品为基础，以前瞻性的技术布局为支撑，为行业提供更高性能、更高可靠性的功率半导体解决方案，助力全球能源架构的高效升级，共筑绿色低碳的能源未来。

关于宏微

江苏宏微科技股份有限公司（英文名MACMIC）成立于2006年，主营业务为功率半导体器件的设计、研发、制造及销售，主要产品包括 IGBT、MOSFET、FRD、SiC 等芯片、分立器件、模块等功率半导体器件。公司自产 IGBT、FRD、SiC 芯片技术已达国际先进、国内领先水平，打破国外垄断，填补了多项国内空白。宏微科技是国内功率半导体器件行业领军企业之一, 2021年，成功登陆科创板，股票代码 688711。