华润微 CRTD050P03L2-G｜-30V Trench P-MOSFET 功率器件，中低压大电流场景高效开关新标杆

华润微代理商 —— 依托华润微在功率半导体领域的龙头技术积淀与全产业链布局，旗下授权代理商为行业带来专为中低压大电流场景打造的CRM 先进沟槽型 P-MOSFET——CRTD050P03L2-G。这款器件由华润微核心子公司研发生产，深度承袭华润微在功率器件领域的工艺与设计优势，以极致低导通电阻、优异的开关品质因数、超大电流承载能力、工业级高可靠性为核心亮点，精准破解电机控制、电动工具、锂电池保护等场景中功率损耗大、高频开关效率低、大电流通断稳定性差、空间布局受限的行业痛点，成为中低压大电流功率开关场景的标杆之选。

一、原生适配：中低压大电流场景专属 Trench P-MOSFET 定制设计

CRTD050P03L2-G 并非传统平面型 MOSFET 的简单技术升级，而是华润微立足 **-30V 中低压、大电流通断 ** 全场景使用需求的定制化沟槽型（Trench）设计，完美适配电机控制与驱动、电动工具、锂电池保护、高频（HF）开关电路等中低压大电流应用场景。

作为华润微面向中低压功率开关领域的核心产品，其核心参数实现行业优质表现：-30V 漏源耐压、4.2mΩ 典型导通电阻、-125A 硅片极限连续漏极电流，在低导通损耗、大电流承载、高频开关效率、工业级可靠性、小型化集成之间实现最优平衡，一站式为中低压电路提供高效开关、大电流通断、高可靠防护、简化 BOM的完整功率解决方案。

二、七大核心亮点，重新定义中低压 P-MOSFET 性能标杆

先进 CRM 沟槽技术，极致低导通电阻突破损耗瓶颈

CRTD050P03L2-G 采用华润微自主研发的 CRM 先进 Trench 沟槽技术，依托华润微成熟的功率器件工艺平台，对器件沟道结构进行深度优化，有效降低漏源导通电阻（RDS(on)​）：在VGS​=−10V、ID​=−19A的典型工况下，RDS(on)​典型值仅4.2mΩ，最大值也仅 5.3mΩ，即使在低栅压VGS​=−4.5V下，仍能保持 7mΩ 以内的低导通电阻表现。

极致低阻直接大幅降低电路导通损耗，提升系统整体效率；同时器件拥有优异的Qg​×RDS(on)​品质因数（FOM），栅极电荷与导通电阻的乘积实现行业优级优化，高频开关过程中开关损耗更小，完美适配高频（HF）开关电路的设计需求。

全规格极限电流承载，大电流场景轻松应对

针对中低压场景的大电流通断需求，华润微为 CRTD050P03L2-G 打造了硅片与封装的双级电流极限设计，电流承载能力行业领先：25℃下硅片极限连续漏极电流达 **-125A**，封装极限也达 - 60A，即使在 100℃高温工况下，硅片极限连续漏极电流仍保持 **-80A的高水准；脉冲漏极电流（25℃，受结温限制）更是高达-240A**，能轻松应对电路中的瞬时大电流冲击。

同时器件单脉冲雪崩能量达225mJ（L=0.5mH），具备优异的抗雪崩能力，在电机驱动、电动工具等感性负载场景中，可有效抵御电压尖峰冲击，避免器件损坏，充分匹配工业级场景的严苛要求。

严苛行业认证测试，工业级高可靠性适配全场景

CRTD050P03L2-G 完全符合 JEDEC 行业标准认证，并经过华润微全批次 100% 严苛测试验证：所有器件均完成DVDS 漏源耐压测试、雪崩耐量测试，从芯片设计、晶圆制造到封装测试，全流程遵循华润微的高品质品控标准，保障器件的一致性和可靠性。

器件的工作与存储温度覆盖 **-55℃~+150℃**，宽温域适配工业设备、户外便携工具等复杂工作环境；引脚焊接温度支持 260℃（距外壳 1.6mm 处焊接 10s），兼容常规波峰焊、回流焊工艺，耐焊接热冲击能力优异，大幅提升量产良率。

优异动静态电气特性，高频开关控制更精准

依托华润微在功率器件领域的精准参数标定能力，CRTD050P03L2-G 的静态与动态电气特性均实现高精度匹配，为高频开关控制提供稳定的参数支撑：静态特性上，漏源击穿电压稳定在 - 30V，栅极阈值电压（VGS(th)​）精准控制在 - 1.5V~-2V，零栅压漏极电流（IDSS​）、栅源漏电流（IGSS​）均处于 nA 级，器件静态功耗极低；跨导（gfs​）达 83S，栅压对漏极电流的控制灵敏度高，电流调节更精准。

动态特性上，在 1MHz 高频下，输入电容（Ciss​）、输出电容（Coss​）、反向传输电容（Crss​）参数匹配优化，栅极总电荷（Qg​）88.0nC，栅源电荷（Qgs​）、栅漏电荷（Qgd​）分配合理；开关延迟时间（td(on)​）9ns，上升 / 下降时间精准，高频开关过程中无信号拖影、无迟滞，完美适配 HF 高频开关电路和高速功率控制场景。

专属热性能优化，高温工况稳定运行

针对大电流工况下的散热难题，华润微为 CRTD050P03L2-G 进行了定制化热性能优化设计：结壳热阻（RthJC​）典型值仅1.2℃/W，热量能快速从芯片结区传导至外壳，再通过 PCB 高效散热；25℃下器件最大功耗达104W，具备超强的功率承载能力。

同时华润微为该器件提供了完整的漏极电流降额曲线、功率耗散降额曲线，器件随壳温升高，电流与功率输出呈平稳线性降额，无突变性性能衰减；瞬态热阻抗（ZthJC​）经过深度优化，短时大功耗工况下结温上升缓慢，有效避免热失控，保障高温工况下的长期稳定运行。

高集成优质体二极管，简化电路设计降本增效

CRTD050P03L2-G 内置华润微定制化高性能体二极管，无需额外外接续流 / 整流二极管，大幅简化电路设计，减少外围 BOM 器件数量，降低整体方案成本。

该体二极管为快速恢复型，反向恢复时间（trr​）仅 1.2ns，反向恢复电荷（Qrr​）40.5nC，在电机驱动、锂电池保护等场景中，能快速关断反向电流，避免反向恢复损耗；体二极管连续正向电流达 - 60A，正向电压低，续流效率高，完美匹配主功率管的大电流通断需求，实现主器件与体二极管的性能协同。

TO-252 经典贴片封装，小型化易集成适配自动化量产

CRTD050P03L2-G 采用TO-252 贴片封装，这是华润微针对中低压功率器件打造的经典封装形式，引脚布局经过优化设计，顶 / 底视图的引脚定义清晰（D/D-S/G 引脚分布），适配各类 PCB 的贴片布局，能有效节省 PCB 空间，满足便携式设备、小型化工业模块的空间设计需求。

器件采用卷装供货，每卷 2500pcs，完美适配 SMT 自动化贴片产线，大幅提升客户量产效率；封装引脚的焊接性、机械强度优异，抗振动、抗冲击能力强，适合电动工具、工业电机等存在振动工况的应用场景，适配工业级设备的使用要求。

三、主流应用场景

CRTD050P03L2-G 作为华润微中低压功率器件的核心产品，凭借 **-30V 中低压、低导通电阻、大电流承载、高频开关、高可靠性 ** 的核心优势，成为中低压大电流场景的功率开关优选，主流应用覆盖：

电机控制与驱动：小型工业电机、直流无刷电机、步进电机的功率开关与续流控制

电动工具：充电式手电钻、扳手、吸尘器等便携电动工具的锂电供电回路开关

锂电池保护：动力电池、储能锂电池、便携式设备锂电池的保护板功率开关

高频（HF）开关电路：低压高频电源、DC-DC 变换器的高速功率开关

便携式大功率电子设备：便携储能、大功率手持设备的电源通断与功率控制

工业低压驱动模块：工业自动化设备、低压驱动板的功率开关单元

四、总结

CRTD050P03L2-G 是华润微基于CRM 先进 Trench 沟槽技术打造的 **-30V 中低压大电流 P-MOSFET**，也是华润微面向中低压大电流功率开关场景量身定制的高效功率器件。依托华润微在功率半导体领域的全产业链优势，该器件在4.2mΩ 极致低导通电阻、-125A 超大电流承载、优异的高频开关 FOM 值、工业级高可靠性、集成化优质体二极管、TO-252 小型化封装上实现了全维度突破。

相比传统平面型 MOSFET，CRTD050P03L2-G 能大幅降低电路的导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率，同时简化电路设计、减少 BOM 成本，完美适配电机控制、电动工具、锂电池保护等中低压大电流场景的功率开关需求，是华润微在中低压功率器件领域的标杆产品。

华润微授权代理商常备 CRTD050P03L2-G 原厂现货，可为客户提供完整规格书、定制化应用方案设计、全流程硬件调试指导、样品快速申请及大规模量产技术支持，正品保障、价格优势显著、交货周期短，助力客户在工业控制、电动工具、锂电保护等领域的产品高效开发、稳定量产，快速抢占中低压功率器件市场。

面向工业自动化、便携电动工具、锂电储能等市场高效化、小型化、高可靠性的发展趋势，华润微 CRTD050P03L2-G 以低损耗、大电流、高可靠、易集成的核心优势，为中低压大电流场景的功率开关设计提供了全新的优质解决方案，也彰显了华润微在功率半导体领域的技术实力与产品布局能力。

审核编辑 黄宇